長野県電子回路技術研究会 技術講演会(第242回研究会)

開催案内

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テーマ

パワーエレクトロニクスシステム開発に必要な要素技術
-半導体デバイスだけ良くても、それに対応した周辺技術がないと使えない-

講 師 大阪大学大学院 教授
舟木 剛 氏
開催者

長野県電子回路技術研究会 (EMC研究会との提携事業)

日 時
平成30年6月1日(金)
15:00-17:00
(受付 14:30から)
場 所
RAKO華乃井ホテル
諏訪市高島2-1200-3
TEL:0266-54-0555
講演会内容

 近年では、電気自動車や太陽光発電など、比較的大型の電力機器も身近な存在となってきています。このような中、従来型のシリコン(Si)パワーデバイスに比べて、飛躍的に効率を向上させて装置を小型化できる新技術として、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったワイドバンドギャップ(WBG)半導体パワーデバイスが注目を集めています。
 しかし、実際には様々な技術課題が残されています。これまでのパワーエレクトロニクスは、従来型のSiデバイスを前提としたパッケージ材料や回路実装技術を用い、トランス・リアクトルやコンデンサなどの周辺部材と合わせたシステム設計がなされていました。しかしながら、これらは必ずしもWBG半導体デバイスの動作条件や特性には合致しておらず、WBG半導体の性能を生かすには、新たな周辺材料や部品・実装技術が必要となります。

 本講演では、本分野の第一人者である大阪大学大学院の舟木剛教授を講師にお迎えし、WBG半導体を用いたパワーエレクトロニクスの開発を俯瞰し、その課題を挙げ、技術開発の方向性についてお示しいただきます。

 電源は電子回路とは切っても切れない存在であり、本講演は今後の電源装置の行方を知る貴重な機会となります。電源周りだけではなく、EMC、実装、材料など、様々な分野の技術者にお聞きいただきたい内容です。

 多くの皆様のご聴講をお待ち申し上げております。


講師紹介  大阪大学講師、京都大学准教授を経て平成20年大阪大学教授。 電気学会 電磁環境技術委員会 委員長、IEEE Power electronics society vice chairなどを歴任。SiC/GaNパワー半導体デバイスを用いたパワーエレクトロニクス技術、EMC技術に関する研究に従事。SiC/GaNパワー半導体デバイスやその実装技術等から、パワーエレクトロニクスのシステムレベルまで企業との共同研究案件多数。
参加費

・長野県電子回路技術研究会会員 無料
・EMC研究会会員           無料 (提携事業のため。)
・非会員は1人あたり3,000円。 当日受付にてお支払いください。領収証をご用意します。
 ※講演会後に、講師を交えた交流会を開催いたします。ぜひご参加ください(参加費 1人あたり5,000円)。

定 員 40名(先着順。1社から何名のご参加でも結構です。)
申し込み方法 参加申込書に、会社名、所属部署、氏名、連絡先(所在地、電話番号、E-Mailアドレス)を明記の上、E-Mailに添付して事務局までお申し込み下さい。
参加申込書 (Word文書) 右クリック、[対象をファイルに保存(A)...]
申し込み先 長野県工業技術総合センター 精密・電子・航空技術部門 電子部 担当:佐藤紘介
 E-Mail: sato-kosuke-r(at)pref.nagano.lg.jp  ※コピー&ペーストし、(at)を@に変えてください。
 電話 0266-23-4000(代表)
申し込み締切り  5月25日(金)
その他 事務局からのメール返信にて、参加受付となります。
まれにメールが届かない事例があります。このためE-Mailでお申し込みの方には折り返し受付した旨、返信します。平日3日を過ぎても返信がない場合は、ご面倒ですがご確認をお願いします。
総 会 電子回路技術研究会会員の方へ
講演会に先立ちまして、以下のとおり、総会を開催します。あわせてご出席ください。
  総会:14:00-14:45


会場案内図(RAKO華乃井ホテル)


主 催
長野県電子回路技術研究会

長野県電子回路技術研究会へのお問い合わせは以下のアドレスまでお願いします。

  wadmin001(at)kairoken.jp  ※(at)を@に変えてください。